石墨烯是一种由碳做成的纳米材料，这种超薄材料不仅牢固，其出色的导电导热性质堪称更有了全世界科学家的目光。我们的智能手机都所含一块暗淡的AMOLED（主动矩阵有机闪烁二极体，ActiveMatrix／OrganicLightEmittingDiode）显示屏。
这些显示屏中的每个单像素后面都隐蔽着最少两个硅晶体管，这种硅晶体管是基于激光退火技术大批量生产出有的。利用传统方法制取这些材料一般来说必须1000℃的高温，而激光技术利用较低的温度之后可超过完全相同的效果，甚至可以在塑料（熔点高于300℃）基底上制取。有意思的是，某种程度的操作者工艺也可应用于在石墨烯材料的制取上。
利用高分辨入射电子显微镜可仔细观察到，经过30纳秒的激光脉冲，碳化硅（siliconcarbide，SiC）基质之后不会融化分解成碳单层和硅单层。如果产生更好的激光脉冲，碳单层不会构成石墨烯结构而硅则汽化分离出来。来自基础科学研究所（InstituteforBasicScience，IBS）多维碳材料研究中心（CenterforMultidimensionalCarbonMaterials）的KEONJaeLee教授研究团队，以及来自韩国科学技术院（KoreaAdvancedInstituteofScienceandTechnology，KAIST）的CHOISung－Yool课题组，找到了利用激光诱导固相分离单晶碳化硅（SiC）的石墨烯制备机理。在这项公开发表在《大自然·通讯》（NatureCommunications）的研究中，讲解了如何利用激光技术将混合组分（SiC）分离出来成超薄的碳和硅单质。
尽管准分子激光对基本材料（如硅）切换的影响机制在一些基础研究中获得了说明，但由于简单组分的互为移往过程及非同的处置时间，激光对于多组分简单体系（如SiC）的起到机制还很少被研究。科学家利用高分辨率显微镜图像和分子动力学仿真找到，经30纳秒氯化氙准分子激光器的单脉冲太阳光熔融SiC时，可构成SiC液相层，其中上层为具备石墨晶畴的无序碳层（大约2．5nm薄），下层为多晶硅层（大约5nm）。随着脉冲强度减少，可引发硅的升华分离出来，而无序碳层将改变为多层石墨烯。“这项研究指出，激光材料交互技术可沦为下一代二维纳米材料研究的强劲工具，”Keon教授说道。
Choi教授补足说道：“未来我们可利用激光诱导简单化合物相分离，并以此制备新型的二维材料。”IBS的Keon教授来自KAIST材料科学与工程学院，Choi教授来自KAIST电气工程与石墨烯研究中心。
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